Differenza tra BJT e IGBT

BJT vs IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono due tipi di transistor utilizzati per controllare le correnti. Entrambi i dispositivi hanno giunzioni PN e diversi nella struttura del dispositivo. Sebbene entrambi siano transistor, presentano differenze significative nelle caratteristiche.

BJT (Transistor a giunzione bipolare)

BJT è un tipo di transistor costituito da due giunzioni PN (una giunzione realizzata collegando un semiconduttore di tipo p e un tipo di semiconduttore di tipo n). Queste due giunzioni sono formate utilizzando tre pezzi di semiconduttore di collegamento nell'ordine di P-N-P o N-P-N. Pertanto sono disponibili due tipi di BJT, noti come PNP e NPN.

Tre elettrodi sono collegati a queste tre parti di semiconduttore e il cavo intermedio è chiamato 'base'. Altre due giunzioni sono "emettitore" e "raccoglitore".

In BJT, grande emettitore di collettori (I_c) la corrente è controllata dalla piccola corrente base dell'emettitore (I_B), e questa proprietà viene sfruttata per progettare amplificatori o interruttori. Pertanto, può essere considerato come un dispositivo basato sulla corrente. BJT è usato principalmente nei circuiti amplificatori.

IGBT (transistor gate bipolare isolato)

L'IGBT è un dispositivo a semiconduttore con tre terminali noti come "Emettitore", "Collettore" e "Cancello". È un tipo di transistor, che può gestire una maggiore quantità di energia e ha una maggiore velocità di commutazione che lo rende altamente efficiente. L'IGBT è stato introdotto sul mercato negli anni '80.

IGBT ha le caratteristiche combinate di MOSFET e transistor a giunzione bipolare (BJT). È pilotato come MOSFET e ha caratteristiche di corrente come BJT. Pertanto ha i vantaggi sia della capacità di gestione delle correnti elevate che della facilità di controllo. I moduli IGBT (composti da un numero di dispositivi) gestiscono kilowatt di potenza.